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技术文档
型号
NTE11
品牌
NTE Electronics, Inc.
utmel 编号
1780-NTE11
商品类别
分立半导体产品
封装
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
起订量
1最小包装量--
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NTE11详情
技术参数
NTE Electronics, Inc. NTE11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-92
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
5 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
150 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.17
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
750 mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
340 @ 500mA, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
JEDEC-95代码
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 100mA, 3A
电压 - 集射极击穿(最大值)
20 V
频率转换
150MHz
最大耗散功率(Abs)
0.75 W
集电极电流-最大值(IC)
最小直流增益(hFE)
150
集电极-发射器电压-最大值
NTE11拓展信息
热销零件
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NTE88
封装:TO-204AA, TO-3
品牌:NTE Electronics, Inc.
库存:0
型号:NTE124
封装:TO-213AA, TO-66-2
型号:NTE175
型号:NTE182
封装:TO-225AB, TO-127-3
型号:NTE130
型号:NTE103
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