NTE Electronics, Inc. NTE154

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

质量

7.257478 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE154

Manufacturer

NTE Electronics

MSL

-

Qualification

-

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300 V

Voltage Rating (DC)

300 V

RoHS

Compliant

Package

Bag

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.15

操作温度

200°C

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

1W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 30mA, 20V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 2mA, 20mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

300 V

转换频率

50MHz

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

300 V

最大耗散功率(Abs)

7 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

200mA

集电极-发射器电压-最大值

300 V

集电极-基极电容-最大值

2.5 pF

宽度

76.2 mm

高度

6.604 mm

长度

152.4 mm

直径

9.39 mm

达到SVHC

无SVHC