NTE Electronics, Inc. NTE199

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92

质量

7.257478 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE199

Manufacturer

NTE Electronics

Emitter-Base Voltage

5(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-92

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

70(V)

Category

双极小信号

Operating Temp Range

-55C to 125C

Collector Current (DC)

0.1(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

400@2MA@5V

Mounting

通孔

Collector-Emitter Saturation Voltage

125 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

90 MHz

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.33

操作温度

-55°C ~ 125°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

360 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

0.36(W)

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

360 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

400 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

30nA

JEDEC-95代码

TO-92

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

125mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

70 V

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

400

集电极-发射器电压-最大值

50 V

宽度

4.191 mm

高度

5.334 mm

长度

5.1816 mm