NTE Electronics, Inc. NTE2321

安装类型

通孔

包装/外壳

14-DIP (0.300, 7.62mm)

表面安装

NO

供应商器件包装

14-DIP

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2321

Manufacturer

NTE Electronics

Emitter-Base Voltage

5(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

DIP

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

60(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

0.5(A)

Number of Elements

4

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

IN-LINE, R-PDIP-T14

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

350 MHz

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.14

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

350(MHz)

引脚数量

14

JESD-30代码

R-PDIP-T14

资历状况

不合格

配置

Quad

功率耗散

1.9(W)

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

650 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 30mA, 300mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

350MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

40 V