NTE Electronics, Inc. NTE2347

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

质量

72.574779 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2347

Manufacturer

NTE Electronics

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

Voltage Rating (DC)

80 V

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Part Package Code

TO-39

Risk Rank

5.74

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

ROUND

Rohs Code

有

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

METAL

操作温度

200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

5 A

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

7 W

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 2A, 2V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

转换频率

50 MHz

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

150 V

最大耗散功率(Abs)

4 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

80 V

宽度

76.2 mm

高度

6.604 mm

长度

152.4 mm

直径

9.39 mm

达到SVHC

无SVHC