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'nte238'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	质量	终端数量	晶体管元件材料												厂商																							Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	系列	ECCN 代码	类型	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	最大功率耗散	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	极性	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	功率 - 最大	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	极性/通道类型	晶体管类型	连续放电电流(ID)	阈值电压	最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce	最大集极截止电流	JEDEC-95代码	不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）	栅极至源极电压(Vgs)	电压 - 集射极击穿（最大值）	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	频率转换	雪崩能量等级（Eas）	场效应管技术	最大耗散功率(Abs)	集电极电流-最大值(IC)	场效应管特性	漏源电阻	栅源电压	环境耗散-最大值	高度	长度	宽度
NTE238	NTE Electronics, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-204AA, TO-3	NO	TO-3	2	SILICON	NTE Electronics, Inc				NTE238	NTE Electronics	Bag	8 A	活跃	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT	METAL	未说明	有	ROUND	1	活跃	NTE ELECTRONICS INC	1.73		-65°C ~ 150°C (TJ)	-	EAR99					8541.29.00.95	其他晶体管			BOTTOM	PIN/PEG	未说明	unknown	O-MBFM-P2	不合格		SINGLE				COLLECTOR		100 W		AMPLIFIER							NPN	NPN			-	250µA	TO-3	5V @ 1A, 5A		750 V						-			50 W	8 A				100 W
NTE2388	NTE Electronics, Inc	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-220-3	NO	3	TO-220	3	SILICON	未说明	NTE Electronics, Inc	有	90 ns	RECTANGULAR	1	活跃	NTE ELECTRONICS INC	140 ns	1.56	TO-220AB	18 A			Bag	活跃	18A (Tc)	10V	125W (Tc)	NTE Electronics	NTE2388	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	4V @ 250μA	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	EAR99						FET 通用电源			SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明		R-PSFM-T3	不合格		SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN			N-Channel	SWITCHING	180mOhm @ 10A, 10V	1600 pF @ 25 V	60 nC @ 10 V		200 V	±20V	N-CHANNEL						TO-220AB				18 A	0.18 Ω		72 A	200 V			METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	125 W		-			125 W				unknown
NTE2382	NTE Electronics, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-220-3	NO	3	TO-220	3	SILICON	未说明	NTE Electronics, Inc	有	170 ns	RECTANGULAR	1	活跃	NTE ELECTRONICS INC	110 ns	1.57	TO-220AB	9.2 A			NTE2382	NTE Electronics	Bag	9.2A (Tc)	10V	50W (Tc)	活跃	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	4V @ 250µA	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	EAR99				HIGH RELIABILITY		FET 通用电源		MOSFET (Metal Oxide)	SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明		R-PSFM-T3	不合格		SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN			N-Channel	SWITCHING	270mOhm @ 4.6A, 10V	400 pF @ 25 V	23 nC @ 10 V		100 V	±20V	N-CHANNEL						TO-220AB				8 A	0.27 Ω		37 A	100 V		36 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W		-			75 W				unknown
NTE2380	NTE Electronics, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	通孔	TO-220-3	NO	3 +Tab	TO-220	68.038855 g	3	SILICON	Military	TO-220	-55C to 150C	±20(V)	Enhancement	1	无	通孔	NTE Electronics	NTE Electronics, Inc	NTE2380	Compliant	Bag	2.5A (Tc)	10V	40W (Tc)	活跃	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	100 ns	RECTANGULAR	活跃	NTE ELECTRONICS INC	90 ns	1.56	TO-220AB	2.5 A	2.5(A)	500(V)	4V @ 250µA	-55°C ~ 150°C	-	EAR99	功率MOSFET	150 °C	-55 °C		8541.29.00.95	FET 通用电源	40 W	MOSFET (Metal Oxide)	SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明		R-PSFM-T3	不合格	N	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET	40(W)	DRAIN			N-Channel	SWITCHING	3Ohm @ 1A, 10V	400 pF @ 25 V	15 nC @ 10 V		500 V	±20V	N-CHANNEL		2.5 A	4 V			TO-220AB		20 V		2 A	3 Ω	500 V	10 A	500 V			METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W		-	3 Ω	4 V	75 W	6.35 mm	133.35 mm	38.1 mm	无SVHC
NTE2389	NTE Electronics, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-220-3	NO	TO-220	3	SILICON	NTE Electronics, Inc	RECTANGULAR	1	活跃	NTE ELECTRONICS INC	2.11	35 A				NTE2389	NTE Electronics	Bag	35A (Ta)	10V	125W (Ta)	活跃	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	4V @ 1mA	175°C (TJ)	-	EAR99								MOSFET (Metal Oxide)	SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明		R-PSFM-T3	不合格		SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN			N-Channel	SWITCHING	45mOhm @ 20A, 10V	2000 pF @ 25 V			60 V	30V	N-CHANNEL											0.045 Ω		152 A	60 V			METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR			-							unknown
NTE2384	NTE Electronics, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	通孔	TO-204AA, TO-3	NO	2 +Tab	TO-3	2	SILICON	6(A)	800(V)	Military	-55C to 150C	±20(V)	Enhancement	1	无	通孔	NTE Electronics, Inc	Compliant	Bag	6A (Tc)	10V	180W (Tc)	活跃	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT	METAL	未说明	有	150 ns	ROUND	Obsolete	NTE ELECTRONICS INC	420 ns	8.43	TO-204AA	6 A		NTE2384	NTE Electronics	4.5V @ 250µA	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	EAR99	功率MOSFET	150 °C	-55 °C		8541.29.00.95	FET 通用电源		MOSFET (Metal Oxide)	BOTTOM	PIN/PEG	未说明		O-MBFM-P2	不合格	N	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET	180(W)	DRAIN			N-Channel	SWITCHING	1.4Ohm @ 3A, 10V	2600 pF @ 25 V	130 nC @ 10 V		900 V	±20V	N-CHANNEL		6 A				TO-3		20 V		6 A	1.5 Ω		24 A	800 V			METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	125 W		-			125 W				unknown
NTE2386	NTE Electronics, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-204AA, TO-3	NO	2	TO-3	2	SILICON	NTE Electronics, Inc	1	活跃	NTE ELECTRONICS INC	320 ns	5.34	TO-204AA	6.2 A			NTE2386	NTE Electronics	Bag	6.2A (Tc)	10V	125W (Tc)	活跃	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT	METAL	210 ns	ROUND	4V @ 250µA	-55°C ~ 150°C (TJ)	-					雪崩额定		FET 通用电源		MOSFET (Metal Oxide)	BOTTOM	PIN/PEG			O-MBFM-P2	不合格		SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN			N-Channel	SWITCHING	1.2Ohm @ 3.4A, 10V	1300 pF @ 25 V	80 nC @ 10 V		600 V	±20V	N-CHANNEL						TO-3				6 A	1.2 Ω		25 A	600 V		670 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	150 W		-			150 W				unknown
NTE2385	NTE Electronics, Inc.	数据表	793 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-220-3	NO	3	TO-220	3	SILICON	340 ns	NTE Electronics, Inc	NTE ELECTRONICS INC	活跃	1	RECTANGULAR	130 ns	有	未说明	PLASTIC/EPOXY	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3			NTE2385	NTE Electronics	Bag	8A (Tc)	10V	125W (Tc)	活跃	8 A	TO-220AB	1.57	4V @ 250µA	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	EAR99				雪崩额定	8541.29.00.95	FET 通用电源		MOSFET (Metal Oxide)	SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明		R-PSFM-T3	不合格		SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN			N-Channel	SWITCHING	850mOhm @ 4.8A, 10V	1300 pF @ 25 V	63 nC @ 10 V		500 V	±20V	N-CHANNEL						TO-220AB				9 A	0.85 Ω		32 A	500 V		510 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	150 W		-			150 W				unknown
NTE2383	NTE Electronics, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-220-3	NO	3 +Tab	TO-220	3	SILICON	NTE Electronics	10.5(A)	100(V)	Military	TO-220	-55C to 150C	±20(V)	Enhancement	1	无	NTE Electronics, Inc	通孔	Bag	10.5A (Tc)	10V	75W (Tc)	活跃	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	230 ns	RECTANGULAR	活跃	NTE ELECTRONICS INC	350 ns	1.57	TO-220AB	10.5 A			NTE2383	4V @ 250µA	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	EAR99	功率MOSFET			HIGH RELIABILITY		其他晶体管		MOSFET (Metal Oxide)	SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明		R-PSFM-T3	不合格	P	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET	75(W)	DRAIN			P-Channel	SWITCHING	300mOhm @ 5.3A, 10V	835 pF @ 25 V	58 nC @ 10 V		100 V	±20V	P-CHANNEL						TO-220AB				8 A	0.3 Ω		42 A	100 V		510 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W		-			75 W				unknown
NTE2387	NTE Electronics, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	通孔	TO-220-3	NO	3 +Tab	TO-220	7.257478 g	3	SILICON	800(V)	Military	TO-220	-55C to 150C	±30(V)	Enhancement	1	无	通孔	NTE2387	NTE Electronics, Inc	NTE Electronics	Compliant	130 ns	Bag	4.1A (Tc)	10V	125W (Tc)	活跃	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	65 ns	RECTANGULAR	活跃	NTE ELECTRONICS INC	210 ns	1.58	SFM	4 A	4(A)	4V @ 250µA	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	EAR99	功率MOSFET	150 °C	-55 °C		8541.29.00.95	FET 通用电源	125 W	MOSFET (Metal Oxide)	SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明		R-PSFM-T3	不合格	N	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single	增强型MOSFET	125(W)	DRAIN	10 ns		N-Channel	SWITCHING	3Ohm @ 1.5A, 10V	1300 pF @ 25 V	78 nC @ 10 V	25 ns	800 V	±20V	N-CHANNEL		4 A	3 V			TO-220AB		30 V		4 A	3 Ω	800 V	16 A	800 V			METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	125 W		-	3 Ω	3 V	125 W	15.494 mm	10.668 mm	76.2 mm	Unknown
NTE2381	NTE Electronics, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	通孔	TO-220-3	NO	3	TO-220	3	SILICON	NTE Electronics, Inc	RECTANGULAR	1	活跃	NTE ELECTRONICS INC	200 ns	1.59	TO-220AB	2 A		NTE2381	NTE Electronics	Compliant	活跃	85W (Tc)	10V	2.7A (Tc)	Bag	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	150 ns	5V @ 250µA	-65°C ~ 150°C	-	EAR99		150 °C	-65 °C		8541.29.00.95	其他晶体管	75 W	MOSFET (Metal Oxide)	SINGLE	THROUGH-HOLE			R-PSFM-T3	不合格		SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN			P-Channel	SWITCHING	4.9Ohm @ 1.35A, 10V	660 pF @ 25 V	23 nC @ 10 V		500 V	±30V	P-CHANNEL		2 A	4.5 V			TO-220AB		20 V		2 A	6 Ω		8 A	500 V			METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W		-		4.5 V	75 W				Unknown