NTE Electronics, Inc. NTE252

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3

质量

72.574779 g

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE252

Manufacturer

NTE Electronics

Emitter-Base Voltage

5(V)

Base-Emitter Saturation Voltage (Max)

4(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-3

Collector-Base Voltage

100(V)

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

20(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

100

Mounting

通孔

Collector-Emitter Saturation Voltage

3 V

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

20 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.75

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

20 A

引脚数量

2 +Tab

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

160(W)

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

160 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最大集电极电流

20 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 10A, 3V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 200mA, 20A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

160 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

20 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

100 V

环境耗散-最大值

160 W

宽度

76.2 mm

高度

8.89 mm

长度

152.4 mm

直径

22.2 mm