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技术文档
型号
NTE2633
品牌
NTE Electronics, Inc.
utmel 编号
1780-NTE2633
商品类别
分立半导体产品
封装
TO-225AA, TO-126-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-126,
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NTE2633详情
技术参数
NTE Electronics, Inc. NTE2633重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-126
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
300mA
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
175 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
1200 MHz
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.97
操作温度
175°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
功率 - 最大
3W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
JEDEC-95代码
增益
电压 - 集射极击穿(最大值)
95V
频率转换
1.2GHz
最大耗散功率(Abs)
3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.3 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
95 V
最高频段
高频段
集电极-基极电容-最大值
2 pF
噪音数字(分贝类型@ f)
NTE2633拓展信息
热销零件
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NTE88
封装:TO-204AA, TO-3
品牌:NTE Electronics, Inc.
库存:0
型号:NTE124
封装:TO-213AA, TO-66-2
型号:NTE175
型号:NTE182
封装:TO-225AB, TO-127-3
型号:NTE130
型号:NTE103
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