NTE Electronics, Inc. NTE283

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

TO-3

质量

72.574779 g

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Emitter-Base Voltage

8(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-3

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

800(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

10(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

15

Mounting

通孔

Manufacturer Part Number

NTE283

Manufacturer

NTE Electronics

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

325 V

Voltage Rating (DC)

8 V

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

10 MHz

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.71

操作温度

200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

100 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

10 A

频率

10(MHz)

引脚数量

2 +Tab

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

100(W)

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

100 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

325 V

最大集电极电流

10 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 2.5A, 10V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3.3V @ 2.5A, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

325 V

转换频率

10 MHz

频率转换

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

800 V

最大耗散功率(Abs)

100 W

发射极基极电压 (VEBO)

8 V

集电极电流-最大值(IC)

10 A

最小直流增益（hFE）

15

集电极-发射器电压-最大值

325 V

环境耗散-最大值

100 W

宽度

76.2 mm

高度

8.89 mm

长度

152.4 mm

直径

22.2 mm

达到SVHC

无SVHC