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技术文档
型号
NTE3320
品牌
NTE Electronics, Inc.
utmel 编号
1780-NTE3320
商品类别
分立半导体产品
封装
TO-3P-3, SC-65-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
起订量
--最小包装量--
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NTE3320详情
技术参数
NTE Electronics, Inc. NTE3320重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-3P
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
Manufacturer
NTE Electronics
Operating Temperature (Max.)
150C
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
Collector Current (DC)
50(A)
Rad Hardened
无
Operating Temperature (Min.)
-55C
Gate to Emitter Voltage (Max)
±20(V)
Mounting
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
50 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Test Conditions
300V, 50A, 130Ohm, 15V
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
700 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
650 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Risk Rank
5.66
Rise Time-Max (tr)
600 ns
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Part Life Cycle Code
Number of Elements
1
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3 +Tab
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
240 W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
信道型
N
最大耗散功率(Abs)
200 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 50A
集电极电流-最大值(IC)
IGBT类型
集电极-发射器电压-最大值
集极脉冲电流(Icm)
100 A
Td(开/关)@25°C
240ns/300ns
开关能量
1.30mJ (on), 1.34mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20 V
最大下降时间 (tf)
350 ns
NTE3320拓展信息
热销零件
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NTE88
封装:TO-204AA, TO-3
品牌:NTE Electronics, Inc.
库存:0
型号:NTE124
封装:TO-213AA, TO-66-2
型号:NTE175
型号:NTE182
封装:TO-225AB, TO-127-3
型号:NTE130
型号:NTE103
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