NTE Electronics, Inc. NTE383

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92L

质量

7.257478 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE383

Manufacturer

NTE Electronics

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-100 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Number of Elements

1

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

140 MHz

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Risk Rank

2.15

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

900 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

1 A

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

功率耗散

900 mW

功率 - 最大

900 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 150mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

转换频率

140 MHz

频率转换

140MHz

集电极基极电压(VCBO)

120 V

最大耗散功率(Abs)

0.9 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

100 V

长度

2.9972 mm

高度

8.7376 mm

宽度

5.0038 mm

达到SVHC

无SVHC