NTE Electronics, Inc. NTE68

底架

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

TO-3

质量

7.257478 g

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE68

Manufacturer

NTE Electronics

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-250 V

RoHS

Compliant

Product Status

活跃

厂商

NTE Electronics, Inc

Current-Collector (Ic) (Max)

16 A

Package

Bag

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

4 MHz

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.46

系列

-

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

250 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

功率耗散

250 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

250 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250 V

最大集电极电流

16 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 8A, 4V

最大集极截止电流

500µA

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 3.2A, 16A

电压 - 集射极击穿（最大值）

250 V

转换频率

4 MHz

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

400 V

最大耗散功率(Abs)

250 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

16 A

最小直流增益（hFE）

5

集电极-发射器电压-最大值

250 V

环境耗散-最大值

250 W

宽度

76.2 mm

高度

12.7 mm

长度

152.4 mm

达到SVHC

Unknown