BAS21 /T3详情
NXP BAS21 /T3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
1210 (3225 Metric)
表面安装
YES
供应商器件包装
1210
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
TNPW1210
厂商
Vishay Dale
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BAS21/T3
Power Dissipation (Max)
0.25 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Forward Voltage-Max (VF)
1.25 V
Risk Rank
5.07
Part Package Code
SOT-23
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
TNPW e3
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.096 W (3.20mm x 2.45mm)
容差
±0.1%
JESD-609代码
e3
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±10ppm/°C
电阻
499 Ohms
端子表面处理
TIN
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.333W, 1/3W
HTS代码
8541.10.00.70
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
失败率
-
极性
Standard
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
接收电极
输出电流
200 mA
最大反向漏电电流
100 nA
最大浪涌电流
1.7 A
输出电流-最大值
0.2 A
Rep Pk反向电压-最大值
250 V
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大非代表Pk前进电流
2.5 A
反向电流-最大值
0.1 µA
恢复时间
50 ns
反向恢复时间-最大值
0.05 µs
特征
Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
座位高度(最大)
0.030 (0.75mm)
无铅
无铅
评级结果
AEC-Q200
BAS21 /T3拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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