BAS21 /T3
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NXP BAS21 /T3

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型号

BAS21 /T3

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BAS21 /T3

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

1210 (3225 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

@diode Sw TAPE-11, SOT23, R76 <az, (10K)

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BAS21 /T3 NXP @diode Sw TAPE-11, SOT23, R76 <az, (10K)

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BAS21 /T3详情

NXP BAS21 /T3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    1210 (3225 Metric)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    1210

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    3

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    TNPW1210

  • 厂商

    Vishay Dale

  • Product Status

    活跃

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BAS21/T3

  • Power Dissipation (Max)

    0.25 W

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Forward Voltage-Max (VF)

    1.25 V

  • Risk Rank

    5.07

  • Part Package Code

    SOT-23

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    TNPW e3

  • 尺寸/尺寸

    0.126 L x 0.096 W (3.20mm x 2.45mm)

  • 容差

    ±0.1%

  • JESD-609代码

    e3

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    ±10ppm/°C

  • 电阻

    499 Ohms

  • 端子表面处理

    TIN

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 组成

    Thin Film

  • 功率(瓦特)

    0.333W, 1/3W

  • HTS代码

    8541.10.00.70

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 失败率

    -

  • 极性

    Standard

  • 配置

    SINGLE

  • 元素配置

    Single

  • 二极管类型

    接收电极

  • 输出电流

    200 mA

  • 最大反向漏电电流

    100 nA

  • 最大浪涌电流

    1.7 A

  • 输出电流-最大值

    0.2 A

  • Rep Pk反向电压-最大值

    250 V

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 最大非代表Pk前进电流

    2.5 A

  • 反向电流-最大值

    0.1 µA

  • 恢复时间

    50 ns

  • 反向恢复时间-最大值

    0.05 µs

  • 特征

    Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant

  • 座位高度(最大)

    0.030 (0.75mm)

  • 无铅

    无铅

  • 评级结果

    AEC-Q200

0个相似型号

BAS21 /T3拓展信息

BZV55-C3V3
BZV55-C3V3

NXP USA Inc.

BZX84-C3V6
BZX84-C3V6

NXP USA Inc.

BZX84C27
BZX84C27

NXP USA Inc.

BZX84-B4V7T/R
BZX84-B4V7T/R

NXP USA Inc.

BZX84-C30
BZX84-C30

NXP USA Inc.

BZX84-C4V7
BZX84-C4V7

NXP USA Inc.

BZX84-C39
BZX84-C39

NXP USA Inc.

BZV55-C20
BZV55-C20

NXP USA Inc.

BZX84-C16
BZX84-C16

NXP USA Inc.

BZX79-C7V5
BZX79-C7V5

NXP USA Inc.

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