BC847BVNT/R详情
NXP BC847BVNT/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
6
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
hFEMin
200
Number of Elements
2
Voltage Rating (DC)
45 V
RoHS
Compliant
系列
*
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
300 mW
额定电流
100 mA
频率
100 MHz
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
200 mW
增益带宽积
100 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
45 V
最大集电极电流
100 mA
最高频率
100 MHz
集电极基极电压(VCBO)
50 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
连续集电极电流
100 mA
辐射硬化
无
无铅
无铅
BC847BVNT/R拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








哦! 它是空的。