BC856BW T/R详情
NXP BC856BW T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
70
Collector-Emitter Saturation Voltage
-250 mV
hFEMin
220
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
-65 V
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
额定电流
-100 mA
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
200 mW
增益带宽积
100 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
65 V
最大集电极电流
100 mA
最高频率
100 MHz
集电极基极电压(VCBO)
80 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
辐射硬化
无
无铅
无铅
BC856BW T/R拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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