NXP BCM857BSTR

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

hFEMin

200

Voltage Rating (DC)

-45 V

RoHS

Compliant

包装

Tape & Reel (TR)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

300 mW

额定电流

-100 mA

极性

PNP

元素配置

Dual

增益带宽积

175 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

连续集电极电流

100 mA

无铅

无铅