BLD6G22LS-50详情
NXP BLD6G22LS-50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
10.2 A
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Manufacturer
恩智浦半导体
Manufacturer Part Number
BLD6G22LS-50
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Description
FLATPACK, R-CDFP-F4
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLATPACK
Part Life Cycle Code
Obsolete
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
8.63
Rohs Code
有
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-CDFP-F4
资历状况
不合格
配置
COMPLEX
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
S带
BLD6G22LS-50拓展信息
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP








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