NXP BLT80

表面安装

YES

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

10 V

hFEMin

25

RoHS

Compliant

Package Description

,

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BLT80

Manufacturer

Philips Semiconductors

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

飞利浦半导体

Risk Rank

5.53

终端

SMD/SMT

最高工作温度

175 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

2 W

Reach合规守则

unknown

效率

60 %

工作电源电压

7.5 V

极性

NPN

配置

Single

测试频率

900 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

10 V

最大集电极电流

250 mA

转换频率

900 MHz

最大耗散功率(Abs)

2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.25 A

最小直流增益（hFE）

25

宽度

6.7 mm

达到SVHC

无SVHC