BSH207135详情
NXP BSH207135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
供应商器件包装
6-TSOP
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Continuous Drain Current Id
1.52
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.52A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)
417mW (Ta)
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SXT214
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
类型
兆赫晶体
技术
MOSFET (Metal Oxide)
频率
22.1184 MHz
频率稳定性
±50ppm
ESR(等效串联电阻)
120 Ohms
负载电容
20pF
操作模式
Fundamental
功率耗散
417
频率容差
±25ppm
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
120mOhm @ 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 1mA (Typ)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
500 pF @ 9.6 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.8 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
12 V
Vgs(最大值)
±8V
信道型
P
场效应管特性
-
座位高度(最大)
0.020 (0.50mm)
评级结果
-
BSH207135拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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