BSH207135
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NXP BSH207135

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型号

BSH207135

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BSH207135

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET P-CH 12V 1.52A 6-Pin TSOP T/R

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BSH207135
BSH207135 NXP Trans MOSFET P-CH 12V 1.52A 6-Pin TSOP T/R

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BSH207135详情

NXP BSH207135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 供应商器件包装

    6-TSOP

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Suntsu Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Continuous Drain Current Id

    1.52

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.52A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.8V, 4.5V

  • Power Dissipation (Max)

    417mW (Ta)

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    SXT214

  • 尺寸/尺寸

    0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

  • 类型

    兆赫晶体

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 频率

    22.1184 MHz

  • 频率稳定性

    ±50ppm

  • ESR(等效串联电阻)

    120 Ohms

  • 负载电容

    20pF

  • 操作模式

    Fundamental

  • 功率耗散

    417

  • 频率容差

    ±25ppm

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    120mOhm @ 1A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    600mV @ 1mA (Typ)

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    500 pF @ 9.6 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8.8 nC @ 4.5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    12 V

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 信道型

    P

  • 场效应管特性

    -

  • 座位高度(最大)

    0.020 (0.50mm)

  • 评级结果

    -

0个相似型号

BSH207135拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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