NXP BSV52T/R

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

hFEMin

25

Voltage Rating (DC)

12 V

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

500 MHz

Manufacturer Part Number

BSV52T/R

Turn-on Time-Max (ton)

10 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Turn-off Time-Max (toff)

20 ns

Risk Rank

5.13

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

额定电流

100 mA

JESD-30代码

R-PDSO-G3

极性

NPN

配置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12 V

JEDEC-95代码

TO-236AB

集电极基极电压(VCBO)

20 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

25

集电极-发射器电压-最大值

12 V

无铅

无铅