NXP BUK6212-40C，118

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

DPAK

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A (Ta)

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

80W

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态

Production (Last Updated: 1 week ago)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.2mOhm @ 12A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33.9 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±16V

场效应管特性

-