NXP BUK661R8-30C118

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D2PAK

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

263W (Tc)

Product Status

活跃

包装

Tape & Reel

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

容差

1 %

温度系数

100 ppm/°C

电阻

24.9 kΩ

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

额定功率

1 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

军用标准

MIL-PRF-39017

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.9mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10918 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

168 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±16V

场效应管特性

-

长度

15.87 mm

直径

4.83 mm

辐射硬化

无