BUK662R5-30C118详情
NXP BUK662R5-30C118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
32-LCC (J-Lead)
供应商器件包装
32-PLCC (11.43x13.97)
Package
Tube
Base Product Number
7C4291
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
204W (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
操作温度
0°C ~ 70°C
系列
CY7C
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电压 - 供电
3 V ~ 3.6 V
功能
Synchronous
最大电流源
25mA
内存大小
1.125M (128K x 9)
访问时间
10ns
数据率
66.7MHz
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.8mOhm @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6960 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
114 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±16V
总线定向
Uni-Directional
重传能力
无
场效应管特性
-
FWFT支持
无
可编程标志支持
有
扩展类型
Depth, Width
BUK662R5-30C118拓展信息
NXP USA Inc.
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