BUK7107-55ATE,118
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NXP BUK7107-55ATE,118

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型号

BUK7107-55ATE,118

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK7107-55ATE,118

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

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BUK7107-55ATE,118
BUK7107-55ATE,118 NXP MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

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BUK7107-55ATE,118详情

NXP BUK7107-55ATE,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    Axial

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    75A (Ta)

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Power Dissipation (Max)

    272W (Ta)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -65°C ~ 350°C

  • 系列

    CW

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 尺寸/尺寸

    0.375 Dia x 1.781 L (9.52mm x 45.24mm)

  • 容差

    ±5%

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±30ppm/°C

  • 电阻

    51 kOhms

  • 组成

    Wirewound

  • 功率(瓦特)

    13W

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 失败率

    --

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7mOhm @ 50A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4500 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    116 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    55 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    Moisture Resistant

  • 座位高度(最大)

    --

0个相似型号

BUK7107-55ATE,118拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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