BUK7E2R3-40E,127
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NXP BUK7E2R3-40E,127

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型号

BUK7E2R3-40E,127

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK7E2R3-40E,127

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

NEXPERIA BUK7E2R3-40E - 120A, 40

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BUK7E2R3-40E,127
BUK7E2R3-40E,127 NXP NEXPERIA BUK7E2R3-40E - 120A, 40

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BUK7E2R3-40E,127详情

NXP BUK7E2R3-40E,127重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

  • 外壳材料

    PA

  • 供应商器件包装

    I2PAK

  • Shell Sizes

    -

  • RoHS

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    120A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    恩智浦半导体

  • Power Dissipation (Max)

    293W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 系列

    WINSTA MINI

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 性别

    Female/Male

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 注意

    n/a

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.3mOhm @ 25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    8500 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    109.2 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    40 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 定位/联系数

    5

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

BUK7E2R3-40E,127拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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