BUK965R8-100E
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NXP BUK965R8-100E

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型号

BUK965R8-100E

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK965R8-100E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

Nonstandard

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET, N CHANNEL, 100V, 120A, D2PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.00445ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V RoHS Compliant: Yes

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BUK965R8-100E
BUK965R8-100E NXP MOSFET, N CHANNEL, 100V, 120A, D2PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.00445ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V RoHS Compliant: Yes

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BUK965R8-100E详情

NXP BUK965R8-100E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Nonstandard

  • 表面安装

    YES

  • 介电材料

    Polypropylene (PP)

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Voltage Rating DC

    --

  • Voltage Rating AC

    700V

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUK965R8-100E

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Nexperia

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    NEXPERIA

  • Risk Rank

    5.37

  • Drain Current-Max (ID)

    120 A

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    LC5

  • 包装

    Bulk

  • 尺寸/尺寸

    3.937 L x 3.937 W (100.00mm x 100.00mm)

  • 容差

    ±10%

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 终端

    Threaded

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 应用

    Conduction Cooled; High Pulse, DV/DT

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 电容量

    8.5µF

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 参考标准

    AEC-Q101; IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • ESR(等效串联电阻)

    700 µOhms

  • 引线间距

    --

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0058 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    597 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    385 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 特征

    --

  • 座位高度(最大)

    2.146 (54.50mm)

  • 评级结果

    --

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