NXP BUK965R8-100E
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BUK965R8-100E
1786-BUK965R8-100E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
Nonstandard
大陆
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MOSFET, N CHANNEL, 100V, 120A, D2PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.00445ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V RoHS Compliant: Yes
1最小包装量--
BUK965R8-100E详情
NXP BUK965R8-100E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Nonstandard
表面安装
YES
介电材料
Polypropylene (PP)
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rating DC
--
Voltage Rating AC
700V
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK965R8-100E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.37
Drain Current-Max (ID)
120 A
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
LC5
包装
Bulk
尺寸/尺寸
3.937 L x 3.937 W (100.00mm x 100.00mm)
容差
±10%
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
终端
Threaded
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
Conduction Cooled; High Pulse, DV/DT
附加功能
雪崩 额定
电容量
8.5µF
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G2
ESR(等效串联电阻)
700 µOhms
引线间距
--
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0058 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
597 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
385 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
--
座位高度(最大)
2.146 (54.50mm)
评级结果
--
BUK965R8-100E拓展信息
NXP USA Inc.
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