BUK969R3-100E详情
NXP BUK969R3-100E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
2917 (7343 Metric)
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
表面贴装的焊盘尺寸
--
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rated
4V
Lifetime @ Temp.
1000 Hrs @ 105°C
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK969R3-100E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.38
Drain Current-Max (ID)
100 A
操作温度
-40°C ~ 105°C
系列
XMPL
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.287 L x 0.169 W (7.30mm x 4.30mm)
容差
±20%
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
--
ECCN 代码
EAR99
类型
Polymer
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
Decoupling
附加功能
雪崩 额定
电容量
82µF
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G2
ESR(等效串联电阻)
1.2131 Ohm
引线间距
--
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
纹波电流@高频
3A @ 100kHz
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0093 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
405 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
219 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
座位高度(最大)
0.083 (2.10mm)
评级结果
--
BUK969R3-100E拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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