BUK9E08-55B127
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NXP BUK9E08-55B127

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型号

BUK9E08-55B127

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK9E08-55B127

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

2917 (7343 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NEXPERIA BUK9E08-55B - 75A, 55V,

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BUK9E08-55B127
BUK9E08-55B127 NXP NEXPERIA BUK9E08-55B - 75A, 55V,

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BUK9E08-55B127详情

NXP BUK9E08-55B127重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    2917 (7343 Metric)

  • 供应商器件包装

    I2PAK

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Voltage Rated

    10V

  • Lifetime @ Temp.

    --

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    75A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V, 10V

  • 厂商

    恩智浦半导体

  • Power Dissipation (Max)

    203W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    TANTAMOUNT®, 13008

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 尺寸/尺寸

    0.299 L x 0.173 W (7.60mm x 4.40mm)

  • 容差

    ±20%

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    --

  • 类型

    共形涂层

  • 电容量

    470µF

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • ESR(等效串联电阻)

    28 mOhm

  • 失败率

    --

  • 引线间距

    --

  • 制造商的尺寸代码

    E

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7mOhm @ 25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    5280 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    45 nC @ 5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    55 V

  • Vgs(最大值)

    ±15V

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    高可靠性

  • 座位高度(最大)

    0.173 (4.40mm)

  • 评级结果

    COTS

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BUK9E08-55B127拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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