BUK9Y11-30B
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NXP BUK9Y11-30B

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型号

BUK9Y11-30B

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK9Y11-30B

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

BUK9Y11-30B datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from NXP stock available at utmel

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BUK9Y11-30B详情

NXP BUK9Y11-30B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    PLASTIC, LFPAK-4

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUK9Y11-30B

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    8.55

  • Drain Current-Max (ID)

    59 A

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    235

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    MO-235

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.012 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    239 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    112 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

BUK9Y11-30B拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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