BUK9Y11-30B详情
NXP BUK9Y11-30B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC, LFPAK-4
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK9Y11-30B
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
8.55
Drain Current-Max (ID)
59 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
235
JESD-30代码
R-PSSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-235
漏极-源极导通最大电阻
0.012 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
239 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
112 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BUK9Y11-30B拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








哦! 它是空的。