BZV55-C6V8,135
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NXP BZV55-C6V8,135

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型号

BZV55-C6V8,135

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BZV55-C6V8,135

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Zener Diode Single 6.8V 400mW 2-Pin SOD-80C

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BZV55-C6V8,135
BZV55-C6V8,135 NXP Zener Diode Single 6.8V 400mW 2-Pin SOD-80C

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BZV55-C6V8,135详情

NXP BZV55-C6V8,135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

  • 引脚数

    2

  • 供应商器件包装

    LLDS; MiniMelf

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    PEI-Genesis

  • Product Status

    活跃

  • RoHS

    Compliant

  • Impedance (Max) (Zzt)

    15 Ohms

  • 系列

    *

  • 操作温度

    -65°C ~ 200°C

  • 容差

    5 %

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    500 mW

  • 阻抗

    15 Ω

  • 元素配置

    Single

  • 反向泄漏电流@ Vr

    2 µA @ 4 V

  • 功率耗散

    500 mW

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    900 mV @ 10 mA

  • 功率 - 最大

    500 mW

  • 最大反向漏电电流

    2 µA

  • 测试电流

    5 mA

  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

    6.8 V

  • 齐纳电压

    6.8 V

  • 电压允差

    5 %

  • ESD保护

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

BZV55-C6V8,135拓展信息

BZV55-C3V3
BZV55-C3V3

NXP USA Inc.

BZX84-C3V6
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NXP USA Inc.

BZX84C27
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NXP USA Inc.

BZX84-B4V7T/R
BZX84-B4V7T/R

NXP USA Inc.

BZX84-C30
BZX84-C30

NXP USA Inc.

BZX84-C4V7
BZX84-C4V7

NXP USA Inc.

BZX84-C39
BZX84-C39

NXP USA Inc.

BZV55-C20
BZV55-C20

NXP USA Inc.

BZX84-C16
BZX84-C16

NXP USA Inc.

BZX79-C7V5
BZX79-C7V5

NXP USA Inc.

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