NXP PBHV8560Z

引脚数

4

Collector-Emitter Saturation Voltage

50 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

hFEMin

70

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

最高工作温度

150 °C

最大功率耗散

650 mW

极性

NPN

功率耗散

650 mW

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

500 mA

集电极基极电压(VCBO)

600 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

最大结点温度（Tj）

150 °C

环境温度范围高

150 °C

高度

1.8 mm

达到SVHC

无SVHC