NXP PBSS303ND

底架

表面贴装

引脚数

6

Collector-Emitter Saturation Voltage

515 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

hFEMin

345

RoHS

Compliant

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1.1 W

极性

NPN

功率耗散

1.1 W

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

3 A

最高频率

140 MHz

转换频率

140 MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

长度

3.1 mm

达到SVHC

无SVHC