PBSS5330XTR
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NXP PBSS5330XTR

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型号

PBSS5330XTR

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PBSS5330XTR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 30V 3A 4-Pin (3 Tab) UPAK T/R

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PBSS5330XTR
PBSS5330XTR NXP Trans GP BJT PNP 30V 3A 4-Pin (3 Tab) UPAK T/R

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PBSS5330XTR详情

NXP PBSS5330XTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 引脚数

    4

  • hFEMin

    200

  • Voltage Rating (DC)

    -30 V

  • RoHS

    Compliant

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    -320 mV

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    1.6 W

  • 额定电流

    -3 A

  • 极性

    PNP

  • 元素配置

    Single

  • 增益带宽积

    100 MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    30 V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6 V

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

PBSS5330XTR拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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