NXP PBSS5580PA

底架

表面贴装

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

-60 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-80 V

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

500 mW

极性

PNP

元素配置

Single

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

4 A

最高频率

100 MHz

转换频率

110 MHz

集电极基极电压(VCBO)

-80 V

发射极基极电压 (VEBO)

-7 V

宽度

2.1 mm

高度

650 µm

长度

2.1 mm

达到SVHC

无SVHC