PDTA115EMB详情
NXP PDTA115EMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
-50 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
-50 V
转换频率
180 MHz
达到SVHC
无SVHC
PDTA115EMB拓展信息
NXP USA Inc.
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