PDTA123EMB
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NXP PDTA123EMB

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型号

PDTA123EMB

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PDTA123EMB

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans, PNP W/res, 50V, SOT883B

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PDTA123EMB NXP Trans, PNP W/res, 50V, SOT883B

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PDTA123EMB详情

NXP PDTA123EMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    6

  • 质量

    6.492041 mg

  • RoHS

    Compliant

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    -50 V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 最大功率耗散

    250 mW

  • 输出的数量

    1

  • 输出类型

    Voltage

  • 极性

    PNP

  • 通道数量

    3

  • 最大电源电压

    3.6 V

  • 最小电源电压

    2.3 V

  • 电源电流

    900 nA

  • 输出电流

    4 mA

  • 比特数

    3

  • 传播延迟

    4.7 ns

  • 静态电流

    500 nA

  • 接通延迟时间

    10.8 ns

  • 逻辑功能

    Translator

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    -50 V

  • 转换频率

    180 MHz

  • 高电平输出电流

    -4 mA

  • 低水平输出电流

    4 mA

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

PDTA123EMB拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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