PDTA123EMB详情
NXP PDTA123EMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
6
质量
6.492041 mg
RoHS
Compliant
Collector-Emitter Breakdown Voltage
-50 V
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
250 mW
输出的数量
1
输出类型
Voltage
极性
PNP
通道数量
3
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
2.3 V
电源电流
900 nA
输出电流
4 mA
比特数
3
传播延迟
4.7 ns
静态电流
500 nA
接通延迟时间
10.8 ns
逻辑功能
Translator
集电极发射器电压(VCEO)
-50 V
转换频率
180 MHz
高电平输出电流
-4 mA
低水平输出电流
4 mA
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
含铅
PDTA123EMB拓展信息
NXP USA Inc.
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