PDTC143TT
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NXP PDTC143TT

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型号

PDTC143TT

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PDTC143TT

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar (Bjt) Single Transistor, Brt, Npn, 50 V, 250 Mw, 100 Ma, 200 Rohs Compliant: Yes

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PDTC143TT NXP Bipolar (Bjt) Single Transistor, Brt, Npn, 50 V, 250 Mw, 100 Ma, 200 Rohs Compliant: Yes

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PDTC143TT详情

NXP PDTC143TT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50 V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    100 mV

  • hFEMin

    200

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    切割胶带

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    250 mW

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    250 mW

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50 V

  • 最大集电极电流

    100 mA

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5 V

  • 高度

    1 mm

  • 长度

    3 mm

  • 宽度

    1.4 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

PDTC143TT拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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