NXP PDTC143TU

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

底架

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

310mW (Ta), 455mW (Tc)

厂商

NXP USA Inc.

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.2A (Ta)

Package

Bulk

Collector-Emitter Saturation Voltage

100 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

200

RoHS

Compliant

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

切割胶带

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

200 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

200 mW

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

45mOhm @ 4.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

793 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19.2 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

场效应管特性

-

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

长度

2.2 mm

达到SVHC

无SVHC