PDTD123YT详情
NXP PDTD123YT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
hFEMin
70
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
NPN
功率耗散
250 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
500 mA
集电极基极电压(VCBO)
50 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
最大结点温度(Tj)
150 °C
环境温度范围高
150 °C
高度
1.1 mm
达到SVHC
无SVHC
PDTD123YT拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








哦! 它是空的。