NXP PHB29N08T，118

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D2PAK

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

11V

厂商

恩智浦半导体

Power Dissipation (Max)

88W (Tc)

Product Status

活跃

Base Product Number

PHB29

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50mOhm @ 14A, 11V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

810 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

75 V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-