NXP PHK12NQ03LT518

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

质量

453.59237 mg

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.8A (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

恩智浦半导体

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250µA

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

37 ns

Base Product Number

PHK12

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

电阻

14 MΩ

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

2.5 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

元素配置

Single

功率耗散

2.5 W

接通延迟时间

10.6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5mOhm @ 12A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1335 pF @ 16 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.6 nC @ 5 V

上升时间

11.7 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

11.8 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

30 V

漏源击穿电压

30 V

输入电容

1.335 nF

场效应管特性

-

漏源电阻

10.5 mΩ

最大rds

10.5 mΩ

宽度

4 mm

高度

1.45 mm

长度

5 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅