NXP PMFPB8040XP115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UFDFN Exposed Pad

供应商器件包装

6-HUSON (2x2)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.7A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

485mW (Ta), 6.25W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

102mOhm @ 2.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.6 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±12V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)