PMG85XP115详情
NXP PMG85XP115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件包装
6-TSSOP
Package
Bulk
Base Product Number
PMG85
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
厂商
NXP USA Inc.
Power Dissipation (Max)
375mW (Ta), 2.4W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
115mOhm @ 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.15V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
560 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.2 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
20 V
Vgs(最大值)
±12V
场效应管特性
-
PMG85XP115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








哦! 它是空的。