PMN28UN,135
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NXP PMN28UN,135

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型号

PMN28UN,135

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PMN28UN,135

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

DO-214AA, SMB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP

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PMN28UN,135
PMN28UN,135 NXP MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP

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PMN28UN,135详情

NXP PMN28UN,135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DO-214AA, SMB

  • 供应商器件包装

    DO-214AA (SMB)

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    SMBJ140

  • 厂商

    Micro Commercial Co

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5.7A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.8V, 4.5V

  • Power Dissipation (Max)

    1.75W (Tc)

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 类型

    Zener

  • 应用

    汽车

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 电源线保护

  • 电压 - 击穿

    155V

  • 功率 - 脉冲峰值

    600W

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    2.6A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    140V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    140V

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    34mOhm @ 2A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    700mV @ 1mA (Typ)

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    740 pF @ 10 V

  • 单向通道

    1

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    10.1 nC @ 4.5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    12 V

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 电容@频率

    -

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

PMN28UN,135拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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