PMN50UPE,115
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NXP PMN50UPE,115

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型号

PMN50UPE,115

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PMN50UPE,115

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-74, SOT-457

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

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PMN50UPE,115
PMN50UPE,115 NXP MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

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PMN50UPE,115详情

NXP PMN50UPE,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-74, SOT-457

  • 供应商器件包装

    6-TSOP

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.6A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.8V, 4.5V

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Power Dissipation (Max)

    510mW (Ta)

  • Product Status

    Obsolete

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    66mOhm @ 3.6A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    900mV @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    24 pF @ 10 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15.7 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20 V

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

PMN50UPE,115拓展信息

BUK7219-55A
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NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
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NXP USA Inc.

PMV250EPEA
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NXP USA Inc.

PMN20EN
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NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
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PSMN8R040PS127
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NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

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BLF6G38-10G,118
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NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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