NXP PMN80XP，115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

供应商器件包装

6-TSOP

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A (Ta)

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

385mW (Ta), 4W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

102mOhm @ 2.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.5 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±12V

场效应管特性

-