PMPB15XP115详情
NXP PMPB15XP115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
供应商器件包装
DFN2020MD-6
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
厂商
NXP USA Inc.
Power Dissipation (Max)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
19mOhm @ 8.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2875 pF @ 6 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
12 V
Vgs(最大值)
±12V
场效应管特性
-
PMPB15XP115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








哦! 它是空的。