NXP PMV130ENEAR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

TO-236AB

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.1A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

恩智浦半导体

Power Dissipation (Max)

460mW (Ta), 5W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120mOhm @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

170 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.6 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-