PMV50EPEAR
PMV50EPEAR

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NXP PMV50EPEAR

  • 收藏
  • 对比

型号

PMV50EPEAR

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PMV50EPEAR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

Bead, Epoxy

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PMV50EPEA - 30 V, P-CHANNEL TREN

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
PMV50EPEAR
PMV50EPEAR NXP PMV50EPEA - 30 V, P-CHANNEL TREN

请发送询价,我们将立即回复。

库存:60000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

PMV50EPEAR详情

NXP PMV50EPEAR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    自由悬挂

  • 包装/外壳

    Bead, Epoxy

  • 供应商器件包装

    SOT-23

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Eaton - Electronics Division

  • Length - Lead Wire

    0.26 (6.50mm)

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    4.2A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    310mW (Ta), 455mW (Tc)

  • 操作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 系列

    NRNE

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 功率 - 最大

    150 mW

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    45mOhm @ 4.2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    793 pF @ 15 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    19.2 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 电阻公差

    ±1%

  • 场效应管特性

    -

  • B 值公差

    ±2%

  • B25/85

    3935K

  • B25/50

    -

  • B25/100

    -

  • B25/75

    -

  • B0/50

    -

  • 欧姆电阻@25°C

    1.5k

0个相似型号

PMV50EPEAR拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z